تبلیغات
دانلود جزوات آموزشی - شبیه سازی با سیلواکو

HOME

ترجمه مقاله: Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

  • جمعه 21 خرداد 1395

  • After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

    پس از کشف نانولوله های کربنی (CNT) ها توسط ایجیما، تحقیقات علمی در مورد این ساختار با توجه به خواص الکترونیکی بسیار عالی آن گسترش یافت. یکی از خواص مهم این ساختار انتقال شبه بالستیک با تحرک حامل بالا است. با استفاده از نانو لوله های کربنی، دو نوع ترانزیستور اثر میدانی تشریح شده است. نوع اول ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی سد شاتکی (SB-CNTFET) است و نوع دوم ترانزیستورهای نانو لوله کربنی مانند ماسفت (MOSCNT) ها هستند. MOSCNT ها به دلیل میزان جریان روشن-خاموش بالا مطلوب هستند اما جریان نشتی (IL) ترانزیستور به دلیل احتمال تونل زنی باند به باند (BTBT) خیلی بالاست. به منظور مقابله با این مشکل، برخی از راه حل ها از قبیل آلایش خطی یا سبک سورس و درین، گسترش سورس و درین و ضخامت اکسید نامتقارن پیشنهاد شده اند. همچنین ساختار گیت دوگانه و اثر پارامتر های سورس و درین روی مشخصه های CNTFET بررسی شده اند. علاوه بر این، هاله نوع P فرکانس قطع و تأخیر سوئیچینگ CNTFET را بدتر می کند. 

    برای دانلود به لینک مطلب مراجعه کنید.

  • مبلغ قابل پرداخت : 10,000 تومان
     
  • CNTFET - ترجمه مقاله - فرکانس قطع - نانولوله های کربنی - شاتکی - SB-CNTFET - ترانزیستور اثر میدانی - 
دسته ها
اخبار داغ
پیوند ها

PROJECTS

شبیه سازی با سیلواکو

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • silvaco simulation - شبیه سازی سیلواکو
  • اکثرا دانشجویان در انجام شبیه سازی پروژه سیلواکو با مشکل مواجه هستند و به دنبال یک مکان مطمئن جهت انجام این پروژه ها می باشند.
    مهندس 360 با داشتن برترین برنامه نویسان ایران آمادگی دارد انجام پروژه های شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو Silvaco را با بهترین کیفیت انجام داده و در اختیار شما عزیزان قرار دهد.
  • نحوه سفارش پروژه: برای سفارش انجام پروژه های سیلواکو Silvaco می توانید از طریق شماره تماس 09377750859 اقدام نمایید. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن پروژه شما را بررسی کرده و خدمت شما اطلاع خواهند داد.
  • زمان انجام پروژه: زمان انجام پروژه های سیلواکو Silvaco با توجه به زمانی که مشتری تعیین میکند انجام میشود و سعی بر این بوده که در کوتاه ترین زمان ممکن پروژه خود را دریافت کنید
دسته ها
اخبار داغ
پیوند ها

HELP

راهنمای دانلود از سایت

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • این صفحه در حال ساخت می باشد
  • این صفحه در حال ساخت می باشد.

CONTACT US

درباره ما

  • آمار مخاطبان صفحه رسمی سایت «مهندس 360» از مرز هفتصد هزار فراتر رفت. صفحه این سایت در اینستاگرام، فیسبوک، توییتر، گوگل پلاس و کلوب دات کام فعالیت خود را به طور رسمی آغاز نموده است.
  • در طول مدت راه اندازی سایت مهندس 360، مطالب آموزشی بسیار زیادی جهت استفاده شما دانشجویان و دانش آموزان گرامی به اشتراک گذاشته شده است. بخش هایی نظیر دانلود کتاب، جزوه، آموزش برنامه نویسی، آموزش نرم افزار و... تنها بخشی از مطالبی است که تاکنون با استقبال شما کاربران گرامی مواجه شده است.
  • صفحات رسمی ما در شبکه های اجتماعی مختلف جهت رفاه حال شما کاربران عزیز فعالیت دارند و انتشار مطالب سایت از این شبکه ها نیز انجام می شود. این اتفاق بدون همراهی شما ممکن نبود و با دلگرمی به این حضور، وظایفی که بر دوش این مجموعه است انجام خواهد شد.

تماس با ما

Contact Us extended form
تعویض عبارت تصویری
عبارت تصویر: